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[[image:記憶痕跡1.jpg|thumb|350px|'''図1．セルアセンブリ仮説に基づく記憶痕跡の概要'''<br> | [[image:記憶痕跡1.jpg|thumb|350px|'''図1．セルアセンブリ仮説に基づく記憶痕跡の概要'''<br>A．長期増強（LTP）。経験に応じてニューロン間の伝達効率が変化すること(シナプス間のLTP等の現象)が細胞レベルでの学習・記憶の基礎過程であると考えられている。<br> | ||
B．記憶がセルアセンブリとして符号化されて脳内に蓄えられる様子を表す。学習時に活動したニューロン（オレンジ）の間のシナプスではLTPが起こり、ニューロン活動が収まった通常時でも伝達効率が増強されている。そのため、なんらかのきっかけでこれらのニューロンの一部が活動すると、強いシナプス伝達で連絡されたニューロンセット（オレンジ）が同時に活動する。これが、記憶の想起である。]] | |||
[[image:記憶痕跡2.jpg|thumb|350px|'''図2．Lashleyにより示された大脳皮質を除去した割合と迷路達成率の相関図'''<br>大脳皮質を除去した割合が高いほど迷路を抜け出す困難さが増加する。文献2より引用・改変。]] | [[image:記憶痕跡2.jpg|thumb|350px|'''図2．Lashleyにより示された大脳皮質を除去した割合と迷路達成率の相関図'''<br>大脳皮質を除去した割合が高いほど迷路を抜け出す困難さが増加する。文献2より引用・改変。]] | ||