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一般に、膜電位固定法では、測定する膜電流成分のイオン性の成分と膜容量成分を分離することができる。特に、NeherとMartyはパッチクランプ法と正弦波膜電位固定法を用いて、膜容量成分の微細な変化を記録する手法を1982年に確立した<ref><pubmed>6959149</pubmed></ref>。開口放出やエンドサイトーシスは膜面積の変化を伴うので、膜容量からこれらの現象を電気的に推定することができる。
一般に、膜電位固定法では、測定する膜電流成分のイオン性の成分と膜容量成分を分離することができる。特に、NeherとMartyはパッチクランプ法と正弦波膜電位固定法を用いて、膜容量成分の微細な変化を記録する手法を1982年に確立した<ref><pubmed>6959149</pubmed></ref>。開口放出やエンドサイトーシスは膜面積の変化を伴うので、膜容量からこれらの現象を電気的に推定することができる。
[[Image:図_1.png|thumb|’’’図1 細胞膜の等価回路’’’<br>]]
[[Image:図_1.png|図1 細胞膜の等価回路<br>]]
==膜容量測定法の原理==
==膜容量測定法の原理==
全細胞記録(whole-cell clamp recording)の電気的等価回路モデルには、アクセスコンダクタンス(Gs)、膜コンダクタンス(Gm)、膜容量(Cm)の3つの定数がある。これらの定数は、正弦波状の膜電位固定を行った時、電流記録の、振幅、位相、保持電流の3つの定数から推定することができる。市販されているパッチクランプ増幅器の ”sine+DC” 法を用いると、この測定は正確かつ自動的に行われる<ref><pubmed>10764227</pubmed></ref>。一方、オンセル記録(cell-attached patch recording) では小胞膜容量(Cm)と融合細孔のコンダクタンス(g)の2つのパラメータを、正弦波膜電流の大きさと位相の2つから求めることができる<ref><pubmed>2442614</pubmed></ref>。この場合、単一小胞に由来する小さな膜容量変化を捉えるために高周波(10-50kHz)で膜電位固定をして、ロックインアンプで微小な変化を記録する。
全細胞記録(whole-cell clamp recording)の電気的等価回路モデルには、アクセスコンダクタンス(Gs)、膜コンダクタンス(Gm)、膜容量(Cm)の3つの定数がある。これらの定数は、正弦波状の膜電位固定を行った時、電流記録の、振幅、位相、保持電流の3つの定数から推定することができる。市販されているパッチクランプ増幅器の ”sine+DC” 法を用いると、この測定は正確かつ自動的に行われる<ref><pubmed>10764227</pubmed></ref>。一方、オンセル記録(cell-attached patch recording) では小胞膜容量(Cm)と融合細孔のコンダクタンス(g)の2つのパラメータを、正弦波膜電流の大きさと位相の2つから求めることができる<ref><pubmed>2442614</pubmed></ref>。この場合、単一小胞に由来する小さな膜容量変化を捉えるために高周波(10-50kHz)で膜電位固定をして、ロックインアンプで微小な変化を記録する。