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Keijiimoto (トーク | 投稿記録) 細 (ページの作成：「== 概要、分類 == Voltage-gated channel(電位依存性チャネル)とは、電位により開閉が行われるイオンチャネルの総称である。古典的...」) |
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#高いイオン選択性を有している場合が多い。 | #高いイオン選択性を有している場合が多い。 | ||
== 電位センサー, Voltage sensor == | == 電位センサー, Voltage sensor == | ||
電位の変化によりチャネルを開閉するには、先ず電位の変化を感知しなくてはならない。 細胞外もしくは細胞内にあると電位の変化を感知する事はないであろうから、 感知する部分(すなわちvoltage sensor)は、膜の内部にあるのではないかと考えられる。 古典的な電位依存性チャネルのS4領域は、疎水性のアミノ酸残基のなかに陽電荷をもつアミノ酸残基が3残基毎に周期的に並んだ特徴的な構造を有しており、実験的にもS4がvoltage | 電位の変化によりチャネルを開閉するには、先ず電位の変化を感知しなくてはならない。 細胞外もしくは細胞内にあると電位の変化を感知する事はないであろうから、 感知する部分(すなわちvoltage sensor)は、膜の内部にあるのではないかと考えられる。 古典的な電位依存性チャネルのS4領域は、疎水性のアミノ酸残基のなかに陽電荷をもつアミノ酸残基が3残基毎に周期的に並んだ特徴的な構造を有しており、実験的にもS4がvoltage sensorとして機能していると考えられている。なお最近の論文では、S1からS4までをvoltage sensing domain (VSD)とよびS5-S6をpore domain (PD)と呼んでいる場合がある。<br> | ||
2002年にMacKinnonらのグループが世界で初めて発表したKvAPチャネルの結晶構造では、S4は細胞膜に接した構造をとっていた。これは結晶作成時の人工的な変形によるものであろうと考えられている。MacKinnonらのグループが2007年に続いて発表した脂質膜に似た環境でのKvチャネル結晶構造では、S4は膜を貫通する構造をとっている<references /> | |||