142
回編集
細編集の要約なし |
細編集の要約なし |
||
7行目: | 7行目: | ||
==膜容量測定法の原理== | ==膜容量測定法の原理== | ||
[[全細胞記録]]([[whole-cell clamp recording]])の電気的等価回路モデルには、[[アクセスコンダクタンス]](Gs)、[[膜コンダクタンス]](Gm)、膜容量(Cm)の3つの定数がある。これらの定数は、正弦波状の膜電位固定を行った時、電流記録の、[[wikipedia:ja:振幅|振幅]]、[[wikipedia:ja:位相|位相]]、[[保持電流]]の3つの定数から推定することができる。市販されている[[パッチクランプ増幅器]]の ”sine+DC” 法を用いると、この測定は正確かつ自動的に行われる<ref><pubmed>10764227</pubmed></ref>。一方、[[オンセル記録]]([[cell-attached patch recording]])では、パッチ膜にで起きた開口放出の小胞膜容量(Cm)と融合細孔のコンダクタンス(g)の2つのパラメータを、正弦波膜電流の大きさと位相の2つから求めることができる<ref><pubmed>2442614</pubmed></ref>。パッチ膜以外の細胞膜のインピーダンスはパッチ膜に比して低すぎるので無視されると考えられ、パッチ膜のインピーダンス変化だけが捉えられる。この場合、単一小胞に由来する小さな膜容量変化を捉えるためには高周波(10-50kHz)で膜電位固定をするのが有利なのでADコンバータによるサンプリングでは間に合わず、[[ロックインアンプ]] | [[全細胞記録]]([[whole-cell clamp recording]])の電気的等価回路モデルには、[[アクセスコンダクタンス]](Gs)、[[膜コンダクタンス]](Gm)、膜容量(Cm)の3つの定数がある。これらの定数は、正弦波状の膜電位固定を行った時、電流記録の、[[wikipedia:ja:振幅|振幅]]、[[wikipedia:ja:位相|位相]]、[[保持電流]]の3つの定数から推定することができる。市販されている[[パッチクランプ増幅器]]の ”sine+DC” 法を用いると、この測定は正確かつ自動的に行われる<ref><pubmed>10764227</pubmed></ref>。一方、[[オンセル記録]]([[cell-attached patch recording]])では、パッチ膜にで起きた開口放出の小胞膜容量(Cm)と融合細孔のコンダクタンス(g)の2つのパラメータを、正弦波膜電流の大きさと位相の2つから求めることができる<ref><pubmed>2442614</pubmed></ref>。パッチ膜以外の細胞膜のインピーダンスはパッチ膜に比して低すぎるので無視されると考えられ、パッチ膜のインピーダンス変化だけが捉えられる。この場合、単一小胞に由来する小さな膜容量変化を捉えるためには高周波(10-50kHz)で膜電位固定をするのが有利なのでADコンバータによるサンプリングでは間に合わず、[[ロックインアンプ]]でアナログ信号処理を行うことが行われる。このオンセルパッチは分泌細胞だけでなくシナプス終末に応用することができる<ref><pubmed>19279571</pubmed></ref>。 | ||
==膜容量測定法の長所と短所== | ==膜容量測定法の長所と短所== |