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--[[利用者:WikiSysop|Yasunori Hayashi]] 2012年6月24日 (日) 01:14 (JST) | --[[利用者:WikiSysop|Yasunori Hayashi]] 2012年6月24日 (日) 01:14 (JST) | ||
== 編集 柚崎 作業記録 == | |||
藤原先生 | |||
岡村先生 | |||
お疲れ様です。 | |||
全体によくまとまっており、読みやすかったです。いくつか気になる点を列記しますので、参考にしていただければ幸いです。 | |||
１．膜電位センサーとは 「概念」のセクション | |||
膜電位センサーの概念を伝えるのに、このセクションはやや冗長に感じました。もう少しコンパクトに記述できるように思います。基本的な概念は、チャネルをゲートする機構としてリガンド結合と膜電位があり、後者を感知する機構が電位センサーということではないかと思います。 | |||
「イオン選択性を有するイオンチャネルの働きにより細胞膜はK+の透過性が高く･･･」 | |||
→要するに「細胞膜はK+イオンに選択性が高いために」ということだと思います。でももっと正確には「静止膜電位（-60～-80mV)付近で常時開口するKチャネルの働きにより静止膜電位は形成され」と思います。 | |||
「主に電位依存性ナトリウムチャネルの働きにより、一過性にゼロを超える（オーバーシュート）自己再生的な膜電位の変動が見られる(活動電位)。」 | |||
→「主に、」とありますが、Ca活動電位も結構普通にありますので、ちょっと気になります。 | |||
「･･･このように神経細胞における膜電位はスパイク発火時に時々刻々と変化しており、その膜電位変化を感知するのが膜電位センサーである。」 | |||
→スパイク発火とは関係なくとも膜電位が変化すれば膜電位センサーは働きますので、ちょっと不正確に思いました。 | |||
２．膜電位センサーとは 「研究の歴史」のセクション | |||
「膜電位センサーの概念は1952年のイカの巨大軸索を使ったHodgkin-Huxleyの研究において初めて導入され、膜電位に依存して起こる神経の電気的興奮において膜電位センサーの存在が想定された」 | |||
→膜電位センターという言葉が2回繰り返されてやや冗長？ | |||
「膜電位センサーの概念は、イカの巨大軸索における活動電位発生時のイオン透過性の変化を膜電位固定法を用いて詳細に検討することにより、1952年にHodgkin-Huxleyによって初めて導入された」 | |||
３．図３ | |||
「電位センサードメイン（S4)のマルチプルアライン」 | |||
→「各種電位依存性チャネルにおける電位センサードメイン（S4)の比較」など、もっとわかりやすくお願いします。 | |||
また図のキャプションがもう少し必要です。例えば図３だとhERG、KvAPなどの略称の説明。色づけされたRの意味など。 | |||