「トーク:膜電位センサー」の版間の差分

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全体によくまとまっており、読みやすかったです。いくつか気になる点を列記しますので、参考にしていただければ幸いです。
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1.膜電位センサーとは 「概念」のセクション
膜電位センサーの概念を伝えるのに、このセクションはやや冗長に感じました。基本的な概念は、チャネルをゲートする機構としてリガンド結合と膜電位があり、後者を感知する機構が電位センサーということではないかと思います。
「イオン選択性を有するイオンチャネルの働きにより細胞膜はK+の透過性が高く・・・」
→要するに「細胞膜はK+イオンに選択性が高いために」ということだと思います。でももっと正確には「静止膜電位(-60~-80mV)付近で常時開口するKチャネルの働きにより静止膜電位は形成され」と思います。
「主に電位依存性ナトリウムチャネルの働きにより、一過性にゼロを超える(オーバーシュート)自己再生的な膜電位の変動が見られる(活動電位)。」
→「主に、」とありますが、Ca活動電位も結構普通にありますので、ちょっと気になります。
「・・・このように神経細胞における膜電位はスパイク発火時に時々刻々と変化しており、その膜電位変化を感知するのが膜電位センサーである。」
→スパイク発火とは関係なくとも膜電位が変化すれば膜電位センサーは働きますので、ちょっと不正確に思いました。
2.膜電位センサーとは 「研究の歴史」のセクション
「膜電位センサーの概念は1952年のイカの巨大軸索を使ったHodgkin-Huxleyの研究において初めて導入され、膜電位に依存して起こる神経の電気的興奮において膜電位センサーの存在が想定された」
→膜電位センターという言葉が2回繰り返されてやや冗長?
「膜電位センサーの概念は、イカの巨大軸索における活動電位発生時のイオン透過性の変化を膜電位固定法を用いた研究により、1952年にHodgkin-Huxleyによって初めて導入された」
「1974年にArmstrong & Bezanillaによりイカの巨大軸索から電位依存性チャネルのゲート開口に伴う電荷の移動(ゲート電流)が初めて観測され、膜電位に依存する分子の挙動が反応速度論的に証明された」
→その通りですが、ちょっと分かりにくいように思います。折角の発見の面白さを伝えた方が良くないでしょうか?例えば「脱分極時にNaチャネルを通って内向きNa電流が流れる直前に、一時的に観察される外向き電流が観察される。1974年にArmstrong & Bezanillaはこの電流が、細胞膜中でに存在する膜電位センサーの電荷の移動に由来することを示した」など。
3.図3
「電位センサードメイン(S4)のマルチプルアライン」
→「各種電位依存性チャネルにおける電位センサードメイン(S4)の比較」など、もっとわかりやすくお願いします。
また図のキャプションがもう少し必要です。例えば図3だとhERG、KvAPなどの略称の説明。色づけされたRの意味など。
4.図4
上の図はいわゆるpaddleモデルみたいに見えます。下の図はrotational shiftモデルみたいに見えます。この2つの図の関係は?キャプションが必要と思います。
==  編集 藤原 作業記録 ==
1.膜電位センサーとは 「概念」のセクション
1.膜電位センサーとは 「概念」のセクション
膜電位センサーの概念を伝えるのに、このセクションはやや冗長に感じました。基本的な概念は、チャネルをゲートする機構としてリガンド結合と膜電位があり、後者を感知する機構が電位センサーということではないかと思います。
膜電位センサーの概念を伝えるのに、このセクションはやや冗長に感じました。基本的な概念は、チャネルをゲートする機構としてリガンド結合と膜電位があり、後者を感知する機構が電位センサーということではないかと思います。
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